1 шт. изоляционный MOSFET MOS трубчатый полевой эффект транзисторный модуль вместо



Сохраните в закладки:

Цена:RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

1 шт. изоляционный MOSFET MOS трубчатый полевой эффект транзисторный модуль вместо

История изменения цены

*Текущая стоимость уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Mar-22-2026 0.71 руб. 0.0 руб. 0 руб.
Feb-22-2026 0.45 руб. 0.57 руб. 0 руб.
Jan-22-2026 0.67 руб. 0.98 руб. 0 руб.
Dec-22-2025 0.56 руб. 0.20 руб. 0 руб.
Nov-22-2025 0.5 руб. 0.30 руб. 0 руб.
Oct-22-2025 0.14 руб. 0.10 руб. 0 руб.
Sep-22-2025 0.66 руб. 0.5 руб. 0 руб.
Aug-22-2025 0.3 руб. 0.59 руб. 0 руб.
Jul-22-2025 0.93 руб. 0.19 руб. 0 руб.

Описание товара

1 шт. изоляционный MOSFET MOS трубчатый полевой эффект транзисторный модуль вместо1 шт. изоляционный MOSFET MOS трубчатый полевой эффект транзисторный модуль вместо1 шт. изоляционный MOSFET MOS трубчатый полевой эффект транзисторный модуль вместо


Характеристики модуля:

1, изоляция с оптическим соединителем, изоляция мощности между контрольным сигналом и контролируемым устройством и большое улучшение жестких помех.

2, совместим с MCU и Arduino панелью управления лампой, сигналом 3В или 5В.

3, высокий уровень запуска, низкий уровень остановки, PWM регулирование скорости

4, широко используется для управления запуском и остановкой двигателя, соленоидными клапанами и другими трибутарями.

5. Есть выбор MOS трубок с различными спецификациями.

AOD4184: 40В 50А

6. Входная сторона сигнала может самостоятельно сварить клеммы или контакты, совместимые с макетной платой.

7. Выход может быть сварен или непосредственно сварен.

8. Размер модуля 23 мм X 16 мм имеет 2 отверстия для шуруп диаметром мм, а расстояние между отверстиями 8 мм.

217

 

218219


Смотрите так же другие товары: