Новое поступление
Характеристики
*Текущая стоимость 18 616,92 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Mar-23-2026 | 22153.60 руб. | 23261.95 руб. | 22707 руб. |
| Feb-23-2026 | 21967.99 руб. | 23065.6 руб. | 22516 руб. |
| Jan-23-2026 | 18430.61 руб. | 19352.2 руб. | 18891 руб. |
| Dec-23-2025 | 21595.18 руб. | 22675.27 руб. | 22135 руб. |
| Nov-23-2025 | 18802.77 руб. | 19742.59 руб. | 19272 руб. |
| Oct-23-2025 | 21222.67 руб. | 22283.31 руб. | 21752.5 руб. |
| Sep-23-2025 | 21036.60 руб. | 22088.50 руб. | 21562 руб. |
| Aug-23-2025 | 20850.9 руб. | 21893.16 руб. | 21371.5 руб. |
| Jul-23-2025 | 20664.52 руб. | 21697.86 руб. | 21180.5 руб. |
Описание товара

ОдиночныйБоковая полировка одинарного кристалла кремния
Технические характеристики:
Одинарный кристалл, 20*25 мм * 0,725.
Материал:
Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. P (100)resistanc 0,01 0,01
Область применения:
1.PVD/CVD покрытие подложки
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки
3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Процесс литографии полупроводников и так далее







Смотрите так же другие товары: