Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P



Сохраните в закладки:

Цена:3 805,50RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P

История изменения цены

*Текущая стоимость 3 805,50 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Feb-19-2026 4832.9 руб. 4929.19 руб. 4880.5 руб.
Jan-19-2026 3919.46 руб. 3997.3 руб. 3958 руб.
Dec-19-2025 4756.68 руб. 4851.80 руб. 4803.5 руб.
Nov-19-2025 4718.75 руб. 4812.18 руб. 4765 руб.
Oct-19-2025 3767.39 руб. 3842.49 руб. 3804.5 руб.
Sep-19-2025 4642.91 руб. 4735.75 руб. 4688.5 руб.
Aug-19-2025 4604.58 руб. 4696.66 руб. 4650 руб.
Jul-19-2025 4566.15 руб. 4657.97 руб. 4611.5 руб.

Описание товара

Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P


Односторонний полировальный кристалл кремния

Технические характеристики:

Один с украшением в виде кристаллов,Односторонняя полировка, 8 дюймов

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.

Область применения:

1.PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678


Смотрите так же другие товары: